Samsung представила HBM4e — память со скоростью до 13 Гбит/с и вдвое меньшим энергопотреблением.

В рамках конференции OCP Global Summit 2025 южнокорейская компания Samsung раскрыла подробности о следующем поколении высокоскоростной памяти — HBM4e, улучшенной версии стеков памяти HBM4.

Технические характеристики HBM4e

Новое поколение памяти продемонстрирует впечатляющие технические показатели. По данным Samsung, HBM4e будет обеспечивать скорость передачи данных не менее 13 Гбит/с на контакт. Это позволит достичь пропускной способности до 3,25 Тбайт/с для одного стека памяти.

Особого внимания заслуживает энергоэффективность новой памяти. Samsung заявляет о снижении энергопотребления до 1,95 пДж/бит, что вдвое меньше по сравнению с текущим поколением HBM3e. Такое улучшение энергоэффективности при одновременном росте производительности представляет собой значительный технологический прорыв.

Финансовые успехи Samsung

Анонс HBM4e происходит на фоне впечатляющих финансовых результатов компании. Samsung недавно опубликовала отчёт за третий квартал 2025 года, который продемонстрировал существенный рост операционной прибыли.

Первоначальный прогноз предполагал операционную прибыль около 10 триллионов корейских вон, однако фактический результат оказался значительно выше и составил 12,1 триллиона вон. Примечательно, что почти половину этой суммы обеспечило полупроводниковое подразделение компании, которое принесло около 5 триллионов вон прибыли — более чем в 10 раз больше, чем во втором квартале.

Перспективы развития

Стремительное улучшение финансовых показателей Samsung и амбициозные планы по развитию технологий памяти свидетельствуют о том, что компания уверенно восстанавливает свои позиции на рынке высокопроизводительной памяти для систем искусственного интеллекта. Выход HBM4e в ближайшие годы должен укрепить конкурентные позиции Samsung в этом быстрорастущем сегменте.

Первоисточник: kavagangga